Photo Schemerov Рабочий телефон: (495)955-01-50.
E-mail: schemerov.iv@misis.ru
Должность: ассистент
Дата рождения: 23 октября 1989 года.
 
Образование: окончил МИСиС, институт ИНМиН в 2012 году.
 
Ученая степень: кандидат физико-математических наук.

Публикации за последнее 3 года

1. A Device for Free-Carrier Recombination Lifetime Measurements Авторы: Kobeleva S.P., Anfimov I.M., Schemerov I.V. Журнал "Instruments and Experimental Techniques". No.3, V.59, 2016. с.420-424

2. Deep traps and instabilities in AlGaN/GaN high electron mobility transistors on Si substrates Авторы: Polyakov A.Y.,  Smirnov N.B.,  Turutin A.V.,  Shemerov I.S.,  Ren F.,  Pearton S.J. ,  Johnson J.W. Журнал "Journal of Vacuum Science and Technology B: Nanotechnology and Microelectronics". V.34, i.4, 2016. p.4953347

3. Electron traps as major recombination centers in n-GaN films grown by metalorganic chemical vapor deposition Авторы: Lee I.H., Polyakov A.Y.,  Smirnov N.B.,  Yakimov E.B.,  Tarelkin S.A.,  Turutin A.V.,  Shemerov I.V.,  Pearton S.J. Журнал "Applied Physics Express". v.9, i.6, 2016. p.061002.

4. Studies of deep level centers determining the diffusion length in epitaxial layers and crystals of undoped n-GaN Авторы: Lee I.H.,  Polyakov A.Y.,  Smirnov N.B.,  Yakimov E.B.,  Tarelkin S.A.,  Turutin A.V.,  Shemerov I.V.,  Pearton S.J. Журнал "Journal of Applied Physics". v.119, i.20, 2016. p.205109.

5. Deep traps in AlGaN/GaN high electron mobility transistors on SiC Авторы: Polyakov A.Y.,  Smirnov N.B.,  Dorofeev A.A.,  Gladysheva N.B.,  Kondratyev E.S.,  Shemerov I.V.,  Turutin A.V.,  Ren F.,  Pearton S.J. Журнал "ECS Journal of Solid State Science and Technology". v.5, i.10, 2016. p.Q260-Q265.

6. Deep traps determining the non-radiative lifetime and defect band yellow luminescence in n-GaN Авторы: Polyakov A.Y.,  Smirnov N.B.,  Yakimov E.B.,  Tarelkin S.A.,  Turutin A.V.,  Shemerov I.V.,  Pearton S.J.,  Bae K.B.,  Lee I.H. Журнал "Journal of Alloys and Compounds". v.686, 2016. p.1044-1052.

7. Effect of nanopillar sublayer embedded with SiO2 on deep traps in green GaN/InGaN light emitting diodes Авторы: Lee I.H., Cho H.S., Bae K.B., Polyakov A.Y. Smirnov N.B., Zinovyev R.A., Baek J.H., Chung T.H., Shchemerov I.V., Kondratyev E.S., Pearton S.J. Журнал "Journal of applied physics". v.121, i.4, 2017. p.045108.

8. On the Problem of Determining the Bulk Lifetime by Photoconductivity Decay on the Unpassivated Samples of Monocrystalline Silicon Авторы: Anfimov I. M., Kobeleva S. P., Pylnev A. V., Schemerov I. V., Egorov D. S., Yurchuk S. Yu. Журнал "Russian Microelectronics". v.46, No.8, 2017. p.585-590.

9. Gate-Lag in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors: A Model of Charge Capture Авторы: Polyakov A. Y.,  Smirnov N. B.,  Shchemerov I. V.,  Ren F., Pearton S. J. Журнал "ECS Journal of Solid State Science and Technology". v.6, i.11, 2017. p.S3034-S3039

10. Point defect induced degradation of electrical properties of Ga2O3 by 10 MeV proton damage Авторы: Polyakov A. Y., Smirnov N. B., Shchemerov I. V., Yakimov E. B., Yang J., Ren F., Yang G., Kim J., Kuramata A., Pearton S.J. Журнал "Applied Physics Letters". v.112, i.3, 2018. p.032107.

Публикации в материалах научных мероприятий за последнее 3 года

Применение СВЧ детектора для измерения удельного электросопротивления полупроводников
Авторы: Анфимов И.М., Кобелева С.П., Егоров Д.С., Щемеров И.В.
Вологда. 24 февраля. Международная научно-практическая конференция "Наука сегодня: реальность и перспективы". Материалы конференции. с. 7

Моделирование кривой спада фотопроводимости в монокристаллическом кремнии.
Авторы: Анфимов И.М., Егоров Д.С., Кобелева С.П., Пыльнев А.В., Щемеров И.В., Юрчук С.Ю
Нальчик 2017. Нальчик, 29 мая - 3 июня. Микро- и нанотехнологии в электронике. Материалы IX Международной научно-технической конференции.

Сведения о повышении квалификации за последнее 5 лет

<<Использование электронных образовательных ресурсов в учебном процессе образовательной организации высшего образования>>, НИТУ МИСиС, 26 марта - 6 апреля 2018 г.