ЛАБОРАТОРИЯ "ШИРОКОЗОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ"

Цель проекта:

Развитие методов изучения дефектов с глубокими уровнями в широкозонных полупроводниковых материалах и приборах.

Основные задачи на срок проекта:

Установление корреляции между свойствами гетероструктур и характеристиками приборов на основе нитрида галлия: полевых транзисторов, светодиодов, фотоприёмников и детекторов излучения.

Ожидаемые результаты проекта

По окончании проекта ожидается установить связь между присутствием в барьерной области полевых транзисторов на гетеропереходах глубоких ловушек того или иного типа и транзисторными характеристиками, установить роль различных глубоких центров, присутствующих в материале фотодетекторов на основе GaN и AlGaN и радиационных детекторов, в захвате переносимого заряда в таких приборах, лучше понять роль глубоких центров в поведении светодиодов на основе нитрида галлия, в том числе и светодиодов со структурой в виде наностолбиков.